Cách Phân Biệt Transistor Và Mosfet / Top 19 Xem Nhiều Nhất & Mới Nhất 10/2023 # Top Trend | Channuoithuy.edu.vn

Mosfet Là Gì Và Cách Kiểm Tra Mosfet

Mosfet là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )

Là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta đã biết

Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện

Là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu

Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính.

Thí nghiệm : Cấp nguồn một chiều UD qua một bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q (Phân cực thuận cho Mosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng điện đi qua cực DS khi chân G không được cấp điện.

Là khi đo trở kháng giữa G với S và giữa G với D có điện trở bằng vô cùng ( kim không lên cả hai chiều đo)

Và khi G đã được thoát điện thì trở kháng giữa D và S phải là vô cùng.

Các bước kiểm tra như sau : Trong trường hợp Mosfet còn tốt

Bước 1 : Chuẩn bị để thang x1KW

Bước 2 : Nạp cho G một điện tích ( để que đen vào G que đỏ vào S hoặc D )

Bước 4 : Chập G vào D hoặc G vào S để thoát điện chân G.

Bước 5 : Sau khi đã thoát điện chân G đo lại DS như bước 3 kim không lên.

Bước 1 : Để đồng hồ thang x 1KW

Bước 2 : Đo giữa G và S hoặc giữa G và D nếu kim lên = 0 W là chập.

Bước 3 : Đo giữa D và S mà cả hai chiều đo kim lên = 0 W là chập D S

5. Ứng dung của Mosfet trong thực tế Mosfet trong nguồn xung của Monitor

Trong bộ nguồn xung của Monitor hoặc máy vi tính, người ta thường dùng cặp linh kiện là IC tạo dao động và đèn Mosfet

Dao động tạo ra từ IC có dạng xung vuông được đưa đến chân G của Mosfet

Khi kiểm tra MOSFET trong mạch

Ta chỉ cần để thang x1W

Đo giữa D và S:

Nếu cả hai chiều kim lên = 0 W là Mosfet bị chập DS

6. Bảng tra cứu Mosfet thông dụng

Loại kênh dẫn : P-Channel : là Mosfet thuận, N-Channel là Mosfet ngược.

Đặc điểm kỹ thuật : Thí dụ: 3A, 25W : 3A là lòng D-S cực đại và 25W là công suất cực đại.

{Bạn Có Biết} Transistor Là Gì? Mosfet Là Gì? Bjt Là Gì? Igbt Là Gì?

Transistor là gì? Tranzitor là gì? Linh kiện bán dẫn là gì? Có bao nhiêu loại transistor? Transistor hoat dong nhu the nao? transistor dùng để làm gì?

Đó là những câu hỏi mà mình sẽ giải đáp trong bài viết sau. Hãy cùng mình tìm hiểu nha.

Transistor là gì? Bóng bán dẫn transistor là gì?

Bóng bán dẫn transistor hay còn được gọi là tranzito là một loại linh kiện bán dẫn chủ động. Tên gọi Transistor được ghép từ 2 chữ tiếng Anh là “Transfer” và “resistor“, dịch ra có nghĩa là điện trở chuyển đổi, do John R. Pierce đặt năm 1948 sau khi nó được ra đời.

Đó là định nghĩa vềtransistor. Tuy nhiên, để dễ hiểu hơn, ta có thể hiểu đơn giản rằng transistor là một loại linh kiện bán dẫn chuyên dùng trong các board mạch trên các thiết bị điện tử.

Ví dụ như khi bạn mở 1 thiết bị điện tử trong gia đình của mình ra như là điện thoại, nồi cơm điện, bếp điện… thì bạn sẽ thấy 1 board mạch điện tử. Trên board mạch đó là rất rất nhiều các loại linh kiện bán dẫn trên đó.

Và transistor là một loại trong số những linh kiện bán dẫn đó. Và chắc chắn rằng trên 1 board mạch, phải có ít nhất 1 con transistor trên đó.

Transistor dùng để làm gì:

Tác dụng của transistor là dùng để khuếch đại tín hiệu hoặc được sử dụng như 1 bộ khóa tín hiệu.

Đối với dạng transistor khuếch đại tín hiệu mà đơn giản nhất chúng ta có thể thấy chính là bộ loa ở nhà. Khi tín hiệu âm thanh đưa vào, tín hiệu ở dạng nhỏ, nhưng sau khi qua con transistor khuếch đại, tín hiệu âm thanh sẽ lớn hơn, rõ hơn.

Còn đối với dạng transistor công tắc thì ta thường gặp trong những ứng dụng yêu cầu bật/tắt tín hiệu. Ví dụ như trong nhà máy, ta có 1 bồn chứa nước cao 10m, bạn muốn khi bơm nước đến mức 9m thì sẽ tắt bơm để không bị tràn. Thì khi đó ta sẽ dùng 1 con transistor để khi nước đạt đến 9m thì sẽ khóa bơm lại.

Cấu tạo của transistor:

Được cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn được ghép với nhau. 3 lớp này bao gồm: emitter (lớp phát), base (lớp nền) và collector (lớp thu).

Khi ghép 3 lớp này với nhau, ta sẽ có 2 mối tiếp giáp P – N. Nếu xếp theo thứ tự PNP ta sẽ có Transister thuận, còn nếu xếp theo thứ tự NPN ta có Transistor ngược.

Transistor ký hiệu là gì?

Trong thực tế, transistor được ký hiệu bằng những con số và chữ cái. Trong đó có thể chia thành 3 nhóm chính:

Transistor Nhật Bản:

Các loại transistor được sản xuât tại Nhật Bản hoặc theo công nghệ của Nhật Bản thường ký hiệu bắt đầu là A…, B…, C…, D…

Ví dụ transistor c1815, A564, B733, C828, D1555

Trong đó các transistor ký hiệu là A và B là transistor thuận PNP còn ký hiệu là C và D là transistor ngược NPN.

Transistor Mỹ:

Ở đây, ta tính luôn là các loại transistor sản xuất tại Mỹ và transistor sản xuất theo công nghệ Mỹ.  Cả 2 loại này thường có ký hiệu bắt đầu là 2N…

Ví dụ: transistor 2n2222, transistor 2n3055, 2N3055, 2N3904 …

Transistor Trung Quốc:

Các loại transistor do Trung quốc sản xuất được bắt đầu bằng số 3, tiếp theo là hai chữ cái. Chữ cái thứ nhất cho biết loại transistor: Chữ A và B là transistor thuận, chữ C và D là transistor ngược,

Còn chữ thứ hai cho biết đặc điểm: X và P là transistor âm tần, A và G là transistor cao tần. Các chữ số ở sau chỉ thứ tự sản phẩm.

Thí dụ: transistor 3CP25, 3AP20 ..

Thyristor là gì?

Ngoài transistor là gì, ta cũng nên tìm hiểu về Thyristor là gì. Nói 1 cách đơn giảm thì thyristor chính là một điốt được ghép bởi 2 con transistor với nhau. Chúng sẽ hoạt động khi được cấp nguồn và sẽ ngưng hoạt động khi ta ngắt nguồn cấp.

Thyristor có tên đầy đủ là Silicon Controlled Rectifier.

Có bao nhiêu loại transistor?

Nếu tính chung thì ta sẽ có 2 loại chính: transistor thuận (transistor PNP) và transistor ngược (transistor NPN).

Transistor PNP:

Giống như phần cấu tạo bên trên, transistor PNP hay còn được gọi là transistor thuận. Được kết nối bằng 3 lớp bán dẫn, với lớp nền (base) nằm ở giữa và 2 lớp phát (emitter) và lớp thu (collector) nằm 2 bên.

Trong transistor PNP, dòng điện hoặc điện áp sẽ đi vào từ lớp phát (emitter) và đi ra ở lớp thu (collector).

Transistor NPN:

Đối với transistor NPN thì sẽ ngược lại so với loại PNP, nghĩa là dòng điện hoặc điện áp sẽ đi vào từ lớp thu (collector) và đi ra từ lớp phát (emitter).

Các loại transistor theo chức năng:

Tùy theo từng chức năng, ta có các loại transistor tương ứng sau:

Transistor công suất:

Hay còn được gọi là transistor khuếch đại công suất. Theo đó, loại Transistor công suất được sử dụng để khuếch đại tín hiệu, khuếch đại công suất, chuyển đổi mạch AC-DC, DC-DC, ups, inverter, converter, đóng ngắt ON-OFF…

Một ví dụ đơn giản mà bạn có thể thấy chính là cái cái loa phát nhạc trong nhà bạn. Tín hiệu âm thanh ban đầu đưa vào khá nhỏ, sau khi đi qua con transistor công suất thì sẽ tăng tín hiệu âm thanh lên.

Dĩ nhiên là việc âm lượng được tăng lớn hay nhỏ sẽ phụ thuộc nhiều vào công suất của loa.

Transistor quang:

Ta có thể hiểu đơn giản là transistor quang sẽ hoạt động dựa trên tín hiệu quang. Quang chính là tín hiệu ánh sáng. Tín hiệu quang sau khi đi vào transistor sẽ được dùng để đóng/ngắt tín hiệu.

Để dễ hình dung thì con transistor quang được dùng để điều khiển đóng/mở đèn khi ngoài trời sáng/tối.

Transistor dán:

Đây là một loại transistor được thiết kế chuyên dụng trên các board mạch bán dẫn sử dụng chíp dán.

Ngày nay thì để tạo ra các thiết bị có độ mỏng và giảm tối đa trọng lượng, người ta sử dụng các loại chíp dán khi thiết kế board mạch.

Vì thế nên transistor cũng được thiết kế lại giống như các loại linh kiện dán khác để phù hợp.

Một số loại transistor khác:

Ngoài các loại transistor phía trên, ta sẽ thường nghe đến các loại transistor sau:

Transistor BIJ là gì?

BIJ hay còn được gọi là Transistor lưỡng cực là tên viết tắt của Bipolar junction transistor. Đây là loại transistor được sử dụng nhiều nhất hiện nay.

Transistor MOSFET là gì?

MOSFET, viết tắt của “Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor” trong tiếng Anh, có nghĩa là “transistor hiệu ứng trường Oxit Kim loại – Bán dẫn” là loại transistor có cấu tạo và cách hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện.

Với khả năng đóng nhanh với dòng điện và điện áp khá lớn nên MOSFET được sử dụng nhiều trong các bộ dao động tạo ra từ trường do đóng cắt nhanh làm cho dòng điện biến thiên.

Ta thường thấy MOSFET trong các bộ nguồn xung và các mạch điều khiển điện áp cao.

Cách xác định chân transistor:

Transistor thông thường sẽ có 3 chân. Trong đó có 1 chân là chân base, tức là chân không đổi giá trị. Vì thế, để xác định được chân nào là Emitter và collector, ta chỉ cần dùng đồng hồ VOM để đo.

Ta sẽ đo lần lượt từng cặp chân với nhau. Vì có 3 chân nên ta sẽ có tổng cộng là 3 lần đo. Ngoài ra thì ta cần phải đảo chiều qua lại để xác định transistor NPN hoặc PNP. Nên tổng cộng, ta sẽ có 6 lần đo.

Đầu tiên, ta bật đồng hồ VOM ở thang R nhân 1 và đo lần lượt các cặp chân với nhau.  Dùng que đo bất kỳ hai chân nào của transistor, nhớ đảo que đo qua lại nha .

Nếu thấy hai chân nào mà đảo hai đầu đo , đo vẫn không lên ( VOM chi 0 Ohm ) thì hai chân đó là CE. Chân còn lại chắc chắn là chân B.

Để thang đo lên R nhân 10k , dung 2 que đo để trên chân CE , kích chân B , nếu kim lên nhiều thì que đen ở đâu , ở đó là chân C, que đỏ là chân E , nếu để que đo ở hai chân CE dùng tay chạm nhẹ chân B mà vẫn thấy kim lên ít quá , phải đảo que đo lại, làm sao khi ta dùng tay chạm nhẹ chân B của transistor kim phải lên nhiều là đúng . Động tác dùng tay kích nhẹ lên transistor là dùng để phân cực cho transistor.

Từ đây ta sẽ xác định được các chân của transistor. Trong trường hợp này là loại transistor NPN.

Còn nếu đối với transistor PNP, ta chỉ cần làm ngược lại là được.

Mosfet Là Gì Và Cách Kiểm Tra Mosfet Còn Sống Hay Chết

MOSFET là gì và cách kiểm tra MOSFET còn sống hay chết

1. Giới thiệu về Mosfet

Mosfet là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta đã biết, Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính.

G : Gate gọi là cực cổng

S : Source gọi là cực nguồn

D : Drain gọi là cực máng

Mosfet kện N có hai miếng bán dẫn loại P đặt trên nền bán dẫn N, giữa hai lớp P-N được cách điện bởi lớp SiO2 hai miếng bán dẫn P được nối ra thành cực D và cực S, nền bán dẫn N được nối với lớp màng mỏng ở trên sau đó được dấu ra thành cực G.

Mosfet có điện trở giữa cực G với cực S và giữa cực G với cực D là vô cùng lớn , còn điện trở giữa cực D và cực S phụ thuộc vào điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S ( UGS )

Nguyên tắc hoạt động của Mosfet

Mạch điện thí nghiệm.

Thí nghiệm : Cấp nguồn một chiều UD qua một bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q (Phân cực thuận cho Mosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng điện đi qua cực DS khi chân G không được cấp điện.

Một Mosfet còn tốt : Là khi đo trở kháng giữa G với S và giữa G với D có điện trở bằng vô cùng ( kim không lên cả hai chiều đo) và khi G đã được thoát điện thì trở kháng giữa D và S phải là vô cùng.

Các bước kiểm tra như sau :

Bước 1 : Chuẩn bị để thang x1KW

Bước 2 : Nạp cho G một điện tích ( để que đen vào G que đỏ vào S hoặc D )

Bước 4 : Chập G vào D hoặc G vào S để thoát điện chân G.

Bước 5 : Sau khi đã thoát điện chân G đo lại DS như bước 3 kim không lên.

Bước 1 : Để đồng hồ thang x 1KW

Bước 2 : Đo giữa G và S hoặc giữa G và D nếu kim lên = 0 W là chập.

Bước 3 : Đo giữa D và S mà cả hai chiều đo kim lên = 0 W là chập D S

Hướng dẫn :

Loại kênh dẫn : P-Channel : là Mosfet thuận, N-Channel là Mosfet ngược.

Đặc điểm kỹ thuật : Thí dụ: 3A, 25W : là dòng D-S cực đại và công xuất cực đại.

Sự Khác Biệt Giữa Igbt Và Mosfet

Các bóng bán dẫn lưỡng cực là các bóng bán dẫn điện thực sự duy nhất được sử dụng vào đầu những năm 1970 trước khi xuất hiện các MOSFET hiệu quả cao. Các BJT đã trải qua những cải tiến đáng kể về hiệu suất điện kể từ khi thành lập vào cuối năm 1947 và vẫn được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử. Các bóng bán dẫn lưỡng cực có đặc tính tắt tương đối chậm và thể hiện một hệ số nhiệt độ âm gây ra sự phân rã thứ cấp. Tuy nhiên, MOSFE là các thiết bị điều khiển điện áp và không được điều khiển bởi dòng điện. Chúng có hệ số nhiệt độ dương cho điện trở ngăn chặn thoát nhiệt và sẽ không dẫn đến sâu răng thứ cấp. Sau đó, IGBT đã chụp ảnh vào cuối những năm 1980. IGBT về cơ bản là sự giao thoa giữa các bóng bán dẫn lưỡng cực và MOSFET, và được vận hành bằng điện áp như MOSFET. Bài viết này nhấn mạnh một số điểm chính so sánh hai thiết bị.

MOSFE là gì?

Trong một thời gian ngắn, “Transitor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại” là một bóng bán dẫn hiệu ứng trường được sử dụng rộng rãi trong các mạch tích hợp rất lớn do cấu trúc phức tạp và trở kháng đầu vào cao. Nó là một thiết bị bán dẫn bốn cực điều khiển tín hiệu analog và kỹ thuật số. Cổng nằm giữa nguồn và cống và được cách nhiệt bằng một lớp oxit kim loại mỏng, ngăn chặn dòng chảy giữa cổng và kênh. Công nghệ này được sử dụng trong tất cả các loại chất bán dẫn để khuếch đại tín hiệu yếu.

IGBT là gì?

IGBT có nghĩa là “Transitor lưỡng cực cửa cách điện”, một thiết bị bán dẫn ba cực kết hợp dòng bóng bán dẫn lưỡng cực với sự tiện lợi của điều khiển MOSFET. Chúng thường là các thiết bị tương đối mới trong kỹ thuật điện và thường được sử dụng làm khóa điện tử trong các ứng dụng quy mô lớn, chẳng hạn như nguồn điện bật (SMPS) trong các ứng dụng năng lượng trung bình đến cao. Cấu trúc của nó gần giống với cấu trúc của MOSFET ngoại trừ chất nền p bên dưới đế n.

Sự khác biệt giữa IGBT và MOSFET

IGBT đại diện cho một bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện, trong khi MOSFET là viết tắt của bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại. Mặc dù cả hai đều là thiết bị bán dẫn được điều khiển bằng điện áp, chúng hoạt động tốt nhất trong các ứng dụng cung cấp năng lượng ở chế độ khóa (SMPS), trong khi IGBT kết hợp điều khiển bóng bán dẫn lưỡng cực với MOSFET thông lượng cao. IGBT là những người giữ cổng luồng kết hợp các lợi ích của BJT và MOSFET để cung cấp năng lượng và điều khiển động cơ. MOSFET là một loại bóng bán dẫn điện áp đặc biệt xác định tính thấm của thiết bị điện áp được áp dụng.

IGBT về cơ bản là một thiết bị MOSFET vận hành một bóng bán dẫn điện ghép lưỡng cực kết nối hai bóng bán dẫn với một silicon, trong khi MOSFET là cổng cách ly FET phổ biến nhất được tạo ra bởi quá trình oxy hóa silicon thông thường. MOSFET thường thay đổi chiều rộng kênh bằng điện áp ở điện cực, nằm giữa nguồn và cống và được cách ly bởi một lớp oxit silic mỏng. MOSFE có thể hoạt động theo hai cách: chìm và tăng cường.

IGBT là một thiết bị lưỡng cực được điều khiển bằng điện áp với trở kháng đầu vào cao và một bóng bán dẫn lưỡng cực có khả năng kiểm soát dòng chảy lớn. Các ứng dụng ngược dòng có thể dễ quản lý hơn các bộ điều khiển hiện tại. Các MOSFE không yêu cầu hầu hết bất kỳ luồng đầu vào nào để kiểm soát luồng đầu vào, điều này làm cho chúng có khả năng chống lại thiết bị đầu cuối nhiều hơn do lớp cách điện giữa cổng và kênh. Lớp được làm bằng oxit silic, một trong những chất cách điện tốt nhất được sử dụng. Nó có hiệu quả ngăn chặn điện áp được áp dụng ngoại trừ dòng rò nhỏ.

MOSFE nhạy hơn với điện tĩnh (ESD) vì trở kháng đầu vào cao của công nghệ MOS trong MOSFET không cho phép phân phối điện tích. Một chất cách điện silicon oxit bổ sung làm giảm công suất của cửa, khiến nó dễ bị tổn thương khi quay điện áp cao và làm hỏng nội thất. MOSFE rất nhạy cảm với ESD. Các IGBT thế hệ thứ ba kết hợp các đặc tính của ổ điện áp MOSFET với điện trở thấp của bóng bán dẫn lưỡng cực, do đó làm cho chúng cực kỳ chịu được quá tải và mức điện áp.

Các thiết bị MOSFE thường được sử dụng cho các ứng dụng có độ ồn cao để thay thế và khuếch đại tín hiệu điện tử trên các thiết bị điện tử. Phương pháp MOSFET được sử dụng phổ biến nhất là chế độ công tắc nguồn, ngoại trừ việc chúng có thể được sử dụng trong các bộ khuếch đại Class D. Đây là các bóng bán dẫn hiệu ứng trường phổ biến nhất có thể được sử dụng trong cả mạch tương tự và kỹ thuật số. Đổi lại, IGBT được sử dụng ở chế độ chính trong các ứng dụng công suất trung bình và cao như cung cấp năng lượng, sưởi ấm cảm ứng và điều khiển động cơ kéo. Được sử dụng như một thành phần quan trọng trong các thiết bị hiện đại như ô tô điện, bóng đèn và VFD (ổ đĩa biến tần).

IGBT và MOSFET: Bảng so sánh Tổng quan ngắn gọn về IGBT và nhiều hơn nữa. MOSFE

Mặc dù cả hai chất bán dẫn điều khiển điện áp IGBT và MOSFET chủ yếu được sử dụng để khuếch đại tín hiệu yếu, các IGBT kết hợp khả năng kháng thấp của bóng bán dẫn lưỡng cực với các đặc tính điện áp của MOSFET. Với sự gia tăng các lựa chọn giữa hai thiết bị, việc lựa chọn thiết bị tốt nhất chỉ dựa trên các ứng dụng của họ ngày càng trở nên khó khăn hơn. MOSFET là thiết bị bán dẫn bốn cực, IGBT là thiết bị ba cực, được kết nối với nhau giữa bóng bán dẫn lưỡng cực và MOSFET, giúp chúng có khả năng chống tĩnh điện và quá tải.

Tài liệu tham khảo

Tín dụng hình ảnh: https://upload.wikidia.org/wikipedia/commons/thumb/6/6c/IGBT_Cross_Section.jpg/637px-IGBT_Cross_Section.jpg

Tín dụng hình ảnh: https://upload.wikidia.org/wikipedia/commons/thumb/3 432

Valizade, Pouya. Transitor hiệu ứng trường: chi tiết hơn. New Jersey: John Wiley & Sons, 2023. In

Baliga, Jayant B. Nguyên tắc cơ bản của các thiết bị bán dẫn mạnh. Berlin: Springer, 2010. In

Chính phủ John. Sức mạnh của MOSFET: Lý thuyết và Ứng dụng. New Jersey: John Wiley và Sons, 1989. In

Sự Khác Biệt Giữa Lái Cổng Mosfet Và Cổng Igbt Là Gì?

Tôi có thể sử dụng trình điều khiển cổng IGBT phù hợp để điều khiển MOSFET và ngược lại không? Những tham số nào (ngưỡng, cao nguyên và bật xếp hạng điện áp, điện dung cổng, v.v.) phải giống nhau cho khả năng tương thích này? Sự khác biệt cần thiết giữa lái xe hai loại cổng khác nhau là gì?

Đôi khi…

Giả sử điểm đáng quan tâm là MOSFES công suất và không phải tín hiệu nhỏ MOSFET và silicon (trái ngược với SiC, GaN)

Đặc tính đầu tiên để kiểm tra là điện áp đầu ra. Đối với các thiết bị điện, chúng phải là 0V đến 12-15V (acpl-312T) để phục vụ cho ngưỡng cổng khoảng 4V (cũng như có thể lái xe đến -15V nếu việc bật máy nghiền là một vấn đề đáng lo ngại). Do đó, trình điều khiển MOSFET điều khiển IGBT và tương đương trình điều khiển IGBT điều khiển MOSFET sẽ ổn.

Đặc tính tiếp theo là dòng điện cực đại. IGBT sẽ có điện dung cổng lớn hơn đáng kể và do đó sẽ yêu cầu dòng điện cực đại cao hơn để đảm bảo thiết bị bão hòa nhanh nhất có thể. Nghịch lý của điều này là MOSFET có thể được chuyển đổi nhanh hơn và do đó, nhu cầu hiện tại của rms để điều khiển MOSFET có thể cao hơn.

Tần số chuyển đổi hiện tại cao hơn hoặc cao hơn ảnh hưởng đến khả năng năng lượng trình điều khiển.

trình điều khiển cổng IGBT phù hợp

Và chìa khóa cho câu hỏi của bạn là “phù hợp”.

Câu trả lời ngắn gọn là có bạn có thể.

IGBT kết hợp một FET cổng cách ly cho đầu vào điều khiển và bóng bán dẫn điện lưỡng cực như một công tắc trong một thiết bị duy nhất (wikipedia).

Câu hỏi của bạn đã chứa các cân nhắc thích hợp, “ngưỡng, cao nguyên và bật xếp hạng điện áp, điện dung cổng, v.v.”

Xin lưu ý rằng một số trình điều khiển IGBT cũng bao gồm điện áp tắt âm (để chuyển đổi nhanh hơn)

Về cơ bản, cả MOSFET và IGBT đều không yêu cầu sai lệch âm trên cổng. Đặt điện áp cổng về 0 khi tắt sẽ đảm bảo hoạt động đúng và hầu như cung cấp độ lệch âm so với điện áp ngưỡng của thiết bị. Sai lệch cổng âm không ảnh hưởng đáng kể đến tốc độ chuyển đổi so với bóng bán dẫn lưỡng cực. Tuy nhiên, có những trường hợp khi một ổ đĩa cổng âm là cần thiết:

Nhà sản xuất chất bán dẫn chỉ định độ lệch cổng âm cho thiết bị

Khi điện áp cổng không thể được giữ an toàn dưới mức điện áp ngưỡng do nhiễu tạo ra trong mạch. Mặc dù tài liệu tham khảo sẽ được thực hiện cho các IGBT, thông tin chứa trong đó cũng có thể áp dụng tương tự cho các MOSFET điện.